IGBT緩沖保護電容器

1.什么是IGBT?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-絕緣柵雙極型電晶體，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。

IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續(xù)流二極體晶片）通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模組直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。

IGBT模組具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模組化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。

2.什么是吸收電容器?

在電子功率器件的應用電路中,都必須要設計緩沖電路,即為-吸收電路。吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型電晶體（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型電晶體的損壞。

適用于變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、軌道交通、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發(fā)電新能源裝備變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設計及牽引傳動等領域遍及所有IGBT模組區(qū)域尖峰電壓的吸收保護。

3.IGBT吸收保護電容器

佳名興在電子電路IGBT模組方面,推出高性能雙面金屬化聚丙烯膜緩沖吸收電容器-SMIT系列產(chǎn)品,該型號產(chǎn)品為針對IGBT模組而設計,電容器可直接安裝在絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)模組上,容量由0.047uF至9.0uF,工作溫度范圍為-40℃至+110℃的環(huán)境下使用,可承受高脈沖和高鋒值電流,可減少當切換IGBT所引起電壓和電流尖峰,這類型的尖峰是電磁干擾的(EMI)的重要來源,下列為SMIT產(chǎn)品規(guī)范說明:

①主要用途：

廣泛應用于IGBT緩沖吸收

電力電子設備中,開關器件斷時的尖峰電壓和尖峰電流之吸收保護

②特點：

損耗小,內(nèi)部溫升小

負電容量溫度系數(shù)

優(yōu)異的阻燃性能